Foxconn sho'ba korxonasi Tayvanning birinchi 8 dyuymli SiC gofretini muvaffaqiyatli ishlab chiqardi

Electronic Times ma'lumotlariga ko'ra, Foxconn sho''ba korxonasi Tayvanning birinchi 8 dyuymli SiC gofretini muvaffaqiyatli ishlab chiqardi. Taisic Materials kristall o'sishi va substrat ishlab chiqarish uchun javobgardir va Gigastorage gofretni kesish, silliqlash va parlatish uchun javobgardir. Shengxin Materials kompaniyasining bosh direktori, kompaniya va xalqaro yetakchi kompaniya Wolfspeed o'rtasidagi silikon karbid kristalli o'sish texnologiyasidagi bo'shliq faqat bir yil ekanligini aytdi.