A YOFC fejlett gyártási kapacitásának áttekintése

A YOFC Advanced éves gyártási kapacitása jelenleg 60 000 darab 6 hüvelykes SiC MOSFET vagy SBD epitaxia és ostya, 6,4 millió tápmodul és 18 millió teljesítményű egycsöves. A cég 650 V-tól 3300 V-ig terjedő SiC SBD és SiC MOSFET kapcsolódó termékeket kínál, valamint rendelkezik egy 1200 V Gen3 SiC MOSFET tervezési és folyamatplatformmal, teljesen független szellemi tulajdonjogokkal.