碳化矽單晶生長技術的發展

碳化矽單晶生長技術主要包括物理氣相傳輸（PVT）法、高溫化學氣相沉積（HTCVD）法及液相法。 PVT法是目前主流的製備方法，但生長速度較慢。 HTCVD法具有較快的生長速度，顯示出巨大潛力。液相法曾在1960年代廣受歡迎，但隨著PVT法的技術突破，逐漸被邊緣化。然而，由於PVT法在製造大尺寸SiC晶體和降低成本方面遇到挑戰，液相法重新引起了業界的關注。