탄화규소 단결정 성장 기술 개발

탄화규소 단결정 성장 기술은 크게 PVT(물리적 기상 수송) 방식, HTCVD(고온 화학 기상 증착) 방식, 액상 방식 등이 있다. PVT 방법은 현재 주류 제조 방법이지만 성장 속도가 느립니다. HTCVD 방식은 성장 속도가 빠르고 잠재력이 크다. 액상법은 1960년대에 널리 보급되었으나 PVT법의 기술적 혁신으로 점차 소외되었다. 그러나 PVT 방식은 대형 SiC 결정 제조와 원가 절감에 어려움을 겪고 있어 액상 방식이 업계의 다시 주목을 받고 있다.