Entwicklung der Technologie zur Züchtung von Siliziumkarbid-Einkristallen

Zu den Wachstumstechnologien für Siliziumkarbid-Einkristalle gehören hauptsächlich die Methode des physikalischen Dampftransports (PVT), die Methode der chemischen Gasphasenabscheidung bei hoher Temperatur (HTCVD) und die Flüssigphasenmethode. Die PVT-Methode ist derzeit die gängige Vorbereitungsmethode, die Wachstumsrate ist jedoch langsam. Das HTCVD-Verfahren weist eine schnellere Wachstumsrate auf und weist großes Potenzial auf. Die Flüssigphasenmethode erfreute sich in den 1960er Jahren großer Beliebtheit, doch mit dem technologischen Durchbruch der PVT-Methode geriet sie allmählich an den Rand. Da die PVT-Methode jedoch bei der Herstellung großer SiC-Kristalle und der Kostensenkung auf Herausforderungen stößt, hat die Flüssigphasenmethode die Aufmerksamkeit der Industrie neu geweckt.