Desarrollo de tecnología de crecimiento de monocristal de carburo de silicio.

Las tecnologías de crecimiento de monocristales de carburo de silicio incluyen principalmente el método de transporte físico de vapor (PVT), el método de deposición química de vapor a alta temperatura (HTCVD) y el método en fase líquida. El método PVT es actualmente el método de preparación principal, pero la tasa de crecimiento es lenta. El método HTCVD tiene una tasa de crecimiento más rápida y muestra un gran potencial. El método en fase líquida fue muy popular en la década de 1960, pero con el avance tecnológico del método PVT, fue gradualmente marginado. Sin embargo, debido a que el método PVT enfrenta desafíos en la fabricación de cristales de SiC de gran tamaño y la reducción de costos, el método en fase líquida ha reavivado la atención de la industria.