Vývoj technologie růstu monokrystalů karbidu křemíku

Technologie růstu monokrystalů karbidu křemíku zahrnují především metodu fyzikálního transportu par (PVT), metodu vysokoteplotní chemické depozice z par (HTCVD) a metodu kapalné fáze. Metoda PVT je v současné době hlavní metodou přípravy, ale rychlost růstu je pomalá. Metoda HTCVD má rychlejší tempo růstu a vykazuje velký potenciál. Metoda kapalné fáze byla široce populární v 60. letech 20. století, ale s technologickým průlomem metody PVT byla postupně marginalizována. Protože však metoda PVT naráží na problémy při výrobě velkých krystalů SiC a snižování nákladů, metoda v kapalné fázi znovu vzbudila pozornost průmyslu.