Szilícium-karbid egykristály növesztési technológia fejlesztése

A szilícium-karbid egykristály-növekedési technológiák főként a fizikai gőztranszport (PVT) módszert, a magas hőmérsékletű kémiai gőzleválasztást (HTCVD) és a folyadékfázisú módszert foglalják magukban. A PVT-módszer jelenleg a fő előállítási módszer, de a növekedési ütem lassú. A HTCVD módszer gyorsabb növekedési rátával rendelkezik, és nagy lehetőségeket mutat. A folyadékfázisú módszer széles körben népszerű volt az 1960-as években, de a PVT-módszer technológiai áttörésével fokozatosan háttérbe szorult. Mivel azonban a PVT-módszer kihívásokba ütközik a nagyméretű SiC kristályok előállítása és a költségek csökkentése során, a folyadékfázisú módszer újra felkeltette az ipar figyelmét.