Розробка технології вирощування монокристалів карбіду кремнію

Технології вирощування монокристалів карбіду кремнію в основному включають метод фізичного переносу парів (PVT), метод високотемпературного хімічного осадження з парів (HTCVD) і метод рідкої фази. Метод PVT наразі є основним методом підготовки, але темпи росту повільні. Метод HTCVD має більш швидкі темпи зростання та демонструє великий потенціал. Рідкофазний метод був широко популярний у 1960-х роках, але з технологічним проривом методу PVT він був поступово маргіналізований. Однак, оскільки метод PVT стикається з проблемами у виробництві великих кристалів SiC і зниженні витрат, рідкофазний метод знову привернув увагу промисловості.