Phát triển công nghệ tăng trưởng tinh thể đơn cacbua silic

Các công nghệ tăng trưởng đơn tinh thể cacbua silic chủ yếu bao gồm phương pháp vận chuyển hơi vật lý (PVT), phương pháp lắng đọng hơi hóa học ở nhiệt độ cao (HTCVD) và phương pháp pha lỏng. Phương pháp PVT hiện là phương pháp chuẩn bị chủ đạo nhưng tốc độ tăng trưởng chậm. Phương pháp HTCVD có tốc độ tăng trưởng nhanh hơn và cho thấy tiềm năng lớn. Phương pháp pha lỏng được phổ biến rộng rãi vào những năm 1960, nhưng với sự đột phá về công nghệ của phương pháp PVT, nó dần bị gạt ra ngoài lề. Tuy nhiên, do phương pháp PVT gặp phải thách thức trong việc sản xuất tinh thể SiC kích thước lớn và giảm chi phí nên phương pháp pha lỏng đã thu hút sự chú ý của ngành.