সিলিকন কার্বাইড একক ক্রিস্টাল বৃদ্ধি প্রযুক্তির উন্নয়ন

সিলিকন কার্বাইড একক স্ফটিক বৃদ্ধি প্রযুক্তির মধ্যে প্রধানত শারীরিক বাষ্প পরিবহন (PVT) পদ্ধতি, উচ্চ তাপমাত্রার রাসায়নিক বাষ্প জমা (HTCVD) পদ্ধতি এবং তরল ফেজ পদ্ধতি অন্তর্ভুক্ত। PVT পদ্ধতি বর্তমানে মূলধারার প্রস্তুতি পদ্ধতি, কিন্তু বৃদ্ধির হার ধীর। এইচটিসিভিডি পদ্ধতিতে দ্রুত বৃদ্ধির হার রয়েছে এবং এটি দুর্দান্ত সম্ভাবনা দেখায়। 1960-এর দশকে তরল ফেজ পদ্ধতি ব্যাপকভাবে জনপ্রিয় ছিল, কিন্তু PVT পদ্ধতির প্রযুক্তিগত অগ্রগতির সাথে এটি ধীরে ধীরে প্রান্তিক হয়ে যায়। যাইহোক, যেহেতু PVT পদ্ধতিটি বড় আকারের SiC ক্রিস্টাল তৈরিতে এবং খরচ কমানোর ক্ষেত্রে চ্যালেঞ্জের সম্মুখীন হয়, তাই তরল ফেজ পদ্ধতিটি শিল্পের মনোযোগ পুনরুজ্জীবিত করেছে।