BYD Semiconductor présente un module SiC 1 200 V 1 040 A

BYD Semiconductor a exposé son module SiC 1 200 V 1 040 A (modèle : BME1040F12B34U5S-N) à ce Salon de l'auto de Pékin. Ce module est un module d'alimentation SiC de qualité automobile, utilisant une topologie en pont complet, une conception pinfin et un processus de frittage d'argent double face. Ce module est principalement utilisé dans les contrôleurs d'entraînement de moteur de véhicules à énergie nouvelle, augmentant considérablement la puissance du module de près de 30 % sans modifier la taille de l'emballage d'origine du module.