BYD Semiconductor представляет модуль SiC 1200 В, 1040 А

Компания BYD Semiconductor представила свой SiC-модуль 1200 В, 1040 А (модель: BME1040F12B34U5S-N) на автосалоне в Пекине. Этот модуль представляет собой силовой модуль SiC автомобильного класса, в котором используется топология полного моста, конструкция с ребристыми ребрами и процесс двустороннего спекания серебром. Этот модуль в основном используется в контроллерах привода двигателя транспортных средств на новых источниках энергии, значительно увеличивая мощность модуля почти на 30% без изменения исходного размера упаковки модуля.