Paredzams, ka Sanan STMicroelectronics projektā šī gada aprīļa beigās tiks veikta substrāta rūpnīcas jaudas testēšana bezsaistē.

Saskaņā ar jaunākajām ziņām ir paredzēts, ka Sanan STMicroelectronics projekts aprīļa beigās, 60 dienas agrāk, nekā paredzēts, veiks ārējos ieslēgšanas testus substrāta rūpnīcā. Projekts atrodas Xiyong rajonā, aptverot silīcija karbīda epitaksiju, mikroshēmu pētniecību un izstrādi, ražošanu un citus aspektus, un ir apņēmies izveidot profesionālu automobiļu līmeņa jaudas mikroshēmu ražošanas uzņēmumu.