Tikimasi, kad Sanan STMicroelectronics projektas šių metų balandžio pabaigoje atliks substrato gamyklos galios bandymus neprisijungus.

Remiantis naujausiomis naujienomis, tikimasi, kad Sanan STMicroelectronics projektas atliks išorinius įjungimo bandymus substrato gamykloje balandžio pabaigoje, 60 dienų anksčiau nei tikėtasi. Projektas yra Xiyong rajone, apimantis silicio karbido epitaksiją, lustų tyrimus ir plėtrą, gamybą ir kitus aspektus, ir yra įsipareigojęs sukurti profesionalią automobiliams skirtų elektros lustų gamybos įmonę.