គម្រោង Sanan STMicroelectronics ត្រូវបានគេរំពឹងថានឹងធ្វើការសាកល្បងថាមពលក្រៅបណ្តាញនៃរោងចក្រស្រទាប់ខាងក្រោមនៅចុងខែមេសាឆ្នាំនេះ។

យោងតាមព័ត៌មានចុងក្រោយ គម្រោង Sanan STMicroelectronics ត្រូវបានគេរំពឹងថានឹងធ្វើការសាកល្បងថាមពលខាងក្រៅនៅរោងចក្រស្រទាប់ខាងក្រោមនៅចុងខែមេសា 60 ថ្ងៃលឿនជាងការរំពឹងទុក។ គម្រោងនេះមានទីតាំងនៅស្រុក Xiyong ដែលគ្របដណ្តប់លើ silicon carbide epitaxy បន្ទះឈីប R&D ការផលិត និងទិដ្ឋភាពផ្សេងទៀត ហើយបានប្តេជ្ញាចិត្តក្នុងការកសាងសហគ្រាសផលិតបន្ទះឈីបថាមពលថ្នាក់រថយន្តប្រកបដោយវិជ្ជាជីវៈ។