Si prevede che il progetto Sanan STMicroelectronics produrrà 480.000 chip di potenza MOSFET di grado automobilistico da 8 pollici in carburo di silicio all'anno

L'investimento totale previsto per il progetto Sanan STMicroelectronics è di circa 3,2 miliardi di dollari, con l'obiettivo di raggiungere una capacità di produzione annua di 480.000 chip di potenza MOSFET di grado automobilistico da 8 pollici in carburo di silicio.