Το έργο Sanan STMicroelectronics αναμένεται να παράγει ετησίως 480.000 τσιπ τροφοδοσίας MOSFET αυτοκινήτου καρβιδίου του πυριτίου 8 ιντσών

0
Η συνολική επένδυση που έχει προγραμματιστεί για το έργο Sanan STMicroelectronics είναι περίπου 3,2 δισεκατομμύρια δολάρια ΗΠΑ, με στόχο την επίτευξη ετήσιας παραγωγικής ικανότητας 480.000 τσιπ τροφοδοσίας αυτοκινήτου καρβιδίου του πυριτίου 8 ιντσών MOSFET.