Ожидается, что в рамках проекта Sanan STMicroelectronics ежегодно будет производиться 480 000 8-дюймовых силовых MOSFET-чипов автомобильного класса из карбида кремния.

Общий объем инвестиций, запланированных для проекта Sanan STMicroelectronics, составляет около 3,2 миллиарда долларов США с целью достижения годовой производственной мощности в размере 480 000 8-дюймовых силовых MOSFET-чипов автомобильного класса из карбида кремния.