Очекује се да ће пројекат Санан СТМицроелецтроницс производити 480.000 8-инчних силицијум карбидних МОСФЕТ енергетских чипова за аутомобиле годишње

Укупна планирана инвестиција за пројекат Санан СТМицроелецтроницс износи приближно 3,2 милијарде америчких долара, са циљем постизања годишњег производног капацитета од 480.000 8-инчних МОСФЕТ енергетских чипова од силицијум карбида за аутомобиле.