Проектът Sanan STMicroelectronics се очаква да произвежда 480 000 8-инчови силициево-карбидни автомобилни MOSFET чипове годишно

Общата инвестиция, планирана за проекта Sanan STMicroelectronics, е приблизително 3,2 милиарда щатски долара, с цел постигане на годишен производствен капацитет от 480 000 8-инчови мощни MOSFET чипове от силициев карбид за автомобили.