គម្រោង Sanan STMicroelectronics ត្រូវបានគេរំពឹងថានឹងផលិតបន្ទះសៀគ្វីថាមពល MOSFET 8-inch silicon carbide automotive 480,000 ជារៀងរាល់ឆ្នាំ។

ការវិនិយោគសរុបដែលបានគ្រោងទុកសម្រាប់គម្រោង Sanan STMicroelectronics គឺប្រហែល 3.2 ពាន់លានដុល្លារអាមេរិក ជាមួយនឹងគោលដៅនៃការសម្រេចបាននូវសមត្ថភាពផលិតប្រចាំឆ្នាំ 480,000 បន្ទះសៀគ្វីថាមពល MOSFET កម្រិត 8-inch silicon carbide automotive ។