Sanan STMicroelectronics პროექტი, სავარაუდოდ, ყოველწლიურად აწარმოებს 480,000 8 დიუმიან სილიკონის კარბიდის საავტომობილო კლასის MOSFET ელექტრო ჩიპს.
Qt ჯგუფი
ობი ჟონგუანგი
რომ
ეს
და
MOSFET
პრო
STMicroelectronics
ი
აშშ
ელექტრო
სილიკონის კარბიდი
ეს
კონი
2024-12-24 23:41
0
Sanan STMicroelectronics-ის პროექტში დაგეგმილი ჯამური ინვესტიცია შეადგენს დაახლოებით 3,2 მილიარდ აშშ დოლარს, რომლის მიზანია მიაღწიოს წლიური წარმოების სიმძლავრეს 480,000 8 დიუმიანი სილიკონის კარბიდის საავტომობილო კლასის MOSFET ელექტრო ჩიპს.
