Το Xiaomi SU7 είναι εξοπλισμένο με μεγάλο αριθμό τσιπ καρβιδίου του πυριτίου, προσελκύοντας την προσοχή της βιομηχανίας

Πρόσφατα, η κυκλοφορία του Xiaomi SU7 έχει προσελκύσει ευρεία προσοχή. Αναφέρεται ότι αυτό το μοντέλο χρησιμοποιεί τσιπ καρβιδίου του πυριτίου στο κύριο σύστημα μετάδοσης κίνησης, την ενσωματωμένη τροφοδοσία, τη θερμική διαχείριση και το δίκτυο φόρτισης. Σύμφωνα με ανάλυση του κλάδου, η χρήση του SiC MOSFET του Xiaomi SU7 είναι πολύ μεγάλη. Συγκεκριμένα, η έκδοση με έναν κινητήρα χρησιμοποιεί περίπου 64 τμχ, συμπεριλαμβανομένων 36 τμχ για κύρια μονάδα δίσκου, 14 τμχ για OBC, 8 τμχ για DC-DC υψηλής τάσης και 6 τμχ για ηλεκτρονικό έλεγχο αεροσυμπιεστή. Η έκδοση διπλού κινητήρα χρησιμοποιεί περίπου 112 τμχ, συμπεριλαμβανομένων 48 τμχ για κύρια μονάδα δίσκου, 36 τμχ για βοηθητική μονάδα δίσκου, 14 τμχ για OBC, 8 τμχ για DC-DC υψηλής τάσης και 6 τμχ για ηλεκτρονικό έλεγχο αεροσυμπιεστή. Επιπλέον, αυτά τα δεδομένα δεν περιλαμβάνουν τη χρήση πασσάλων φόρτισης και PTC.