Power Cube Semi kehittää 2300 V SiC MOSFETiä ja odottaa massatuotantoa ensi vuoden alussa

Eteläkorealainen Power Cube Semi ilmoitti äskettäin onnistuneesta 2300 V SiC MOSFETin kehittämisestä ja aikoo aloittaa massatuotannon ensi vuoden alussa. Tämä uusi tehopuolijohde auttaa edistämään innovaatioita esimerkiksi palvelimien virtalähteissä ja autolatureissa.