Power Cube Semi desarrolla MOSFET de SiC de 2300 V y espera una producción en masa a principios del próximo año
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2024-12-25 00:18
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La empresa surcoreana Power Cube Semi anunció recientemente el desarrollo exitoso de un MOSFET de SiC de 2300 V y planea comenzar la producción en masa a principios del próximo año. Este nuevo semiconductor de potencia ayudará a impulsar la innovación en áreas como las fuentes de alimentación para servidores y los cargadores de automóviles.
