Power Cube Semi разрабатывает SiC MOSFET на 2300 В и ожидает массового производства в начале следующего года

Южнокорейская компания Power Cube Semi недавно объявила об успешной разработке SiC MOSFET на 2300 В и планирует начать массовое производство в начале следующего года. Этот новый силовой полупроводник поможет внедрить инновации в таких областях, как источники питания серверов и автомобильные зарядные устройства.