Power Cube Semi vyvíjí 2300V SiC MOSFET a očekává masovou výrobu začátkem příštího roku

Jihokorejská společnost Power Cube Semi nedávno oznámila úspěšný vývoj 2300V SiC MOSFET a plánuje zahájit sériovou výrobu začátkem příštího roku. Tento nový výkonový polovodič pomůže řídit inovace v oblastech, jako jsou serverové napájecí zdroje a nabíječky do automobilů.