Power Cube Semi သည် 2300V SiC MOSFET ကို တီထွင်ပြီး လာမည့်နှစ်အစောပိုင်းတွင် အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှုကို မျှော်လင့်ထားသည်။

တောင်ကိုရီးယားကုမ္ပဏီ Power Cube Semi သည် 2300V SiC MOSFET အောင်မြင်စွာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို မကြာသေးမီက ကြေညာခဲ့ပြီး လာမည့်နှစ်အစောပိုင်းတွင် အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှုကို စတင်ရန် စီစဉ်ထားသည်။ ဤပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာအသစ်သည် ဆာဗာပါဝါထောက်ပံ့မှုနှင့် ကားအားသွင်းကိရိယာများကဲ့သို့သော နယ်ပယ်များတွင် ဆန်းသစ်တီထွင်မှုကို တွန်းအားပေးကူညီမည်ဖြစ်သည်။