Distribuição de valor da cadeia industrial de carboneto de silício e a importância da epitaxia

Na cadeia da indústria de carboneto de silício, o substrato e a epitaxia são elos upstream, representando 47% e 23% da estrutura de custos dos dispositivos de energia de carboneto de silício, respectivamente. As barreiras de produção de wafers epitaxiais de carboneto de silício de alta qualidade são altas, e a demanda global downstream por dispositivos de carboneto de silício é forte, resultando em um fornecimento restrito de wafers epitaxiais de carboneto de silício de alta qualidade. A camada epitaxial pode eliminar certos defeitos no substrato e alinhar a rede cristalina, o que tem um impacto decisivo no desempenho do dispositivo.