Værdifordeling af siliciumcarbid industrikæde og betydningen af ​​epitaksi

I siliciumcarbidindustriens kæde er substrat og epitaksi opstrømsled, der tegner sig for henholdsvis 47% og 23% af omkostningsstrukturen for siliciumcarbidkraftenheder. Produktionsbarriererne for højkvalitets siliciumcarbid epitaksiale wafere er høje, og den globale downstream-efterspørgsel efter siliciumcarbidenheder er stærk, hvilket resulterer i en stram forsyning af højkvalitets siliciumcarbid epitaksiale wafere. Det epitaksiale lag kan eliminere visse defekter i substratet og justere krystalgitteret, hvilket har en afgørende indflydelse på enhedens ydeevne.