Waardeverdeling van de siliciumcarbide-industrieketen en het belang van epitaxie

In de keten van de siliciumcarbide-industrie zijn substraat en epitaxie stroomopwaartse schakels, die respectievelijk 47% en 23% van de kostenstructuur van siliciumcarbide-energieapparaten voor hun rekening nemen. De productiebarrières voor hoogwaardige epitaxiale siliciumcarbidewafels zijn hoog en de wereldwijde stroomafwaartse vraag naar siliciumcarbideapparaten is groot, wat resulteert in een krap aanbod van hoogwaardige epitaxiale siliciumcarbidewafels. De epitaxiale laag kan bepaalde defecten in het substraat elimineren en het kristalrooster uitlijnen, wat een beslissende invloed heeft op de prestaties van het apparaat.