Wäert Verdeelung vun Silicon Carbide Industrie Kette an der Wichtegkeet vun epitaxy

An der Siliziumkarbidindustrie Kette, Substrat an Epitaxie sinn Upstream Links, déi 47% an 23% vun der Käschtestruktur vu Siliziumkarbid Kraaftapparater respektiv ausmaachen. D'Produktiounsbarrièren fir qualitativ héichwäerteg Siliziumkarbid Epitaxialwafere sinn héich, an d'global Downstream Nofro fir Siliziumkarbidgeräter ass staark, wat zu enger knapper Versuergung vu qualitativ héichwäerte Siliziumkarbid Epitaxialwafere resultéiert. D'Epitaxialschicht kann bestëmmte Mängel am Substrat eliminéieren an d'Kristallgitter ausriichten, wat en entscheedende Impakt op d'Leeschtung vum Apparat huet.