Verdifordeling av industrikjeden for silisiumkarbid og viktigheten av epitaksi

I silisiumkarbidindustrikjeden er substrat og epitaksi oppstrømsledd, og står for henholdsvis 47 % og 23 % av kostnadsstrukturen til kraftenheter av silisiumkarbid. Produksjonsbarrierene for epitaksiale silisiumkarbidwafere av høy kvalitet er høye, og den globale nedstrømsetterspørselen etter silisiumkarbidenheter er sterk, noe som resulterer i en tett tilgang på epitaksiale silisiumkarbidskiver av høy kvalitet. Det epitaksiale laget kan eliminere visse defekter i underlaget og justere krystallgitteret, noe som har en avgjørende innvirkning på enhetens ytelse.