Zhanxin Electronics 'zweet Generatioun SiC MOSFET Chip erreecht eng 25% Reduktioun vun der On-Resistenz

Am Verglach mat der viregter Generatioun vu Produkter huet den zweeter Generatioun SiC MOSFET Chip, dee vum Zhanxin Electronics lancéiert gouf, eng spezifesch On-Resistenzreduktioun vun ongeféier 25% erreecht andeems de Gateoxidschichtprozess a Kanaldesign optiméiert, sou datt d'Apparatverloschter reduzéiert an d'Systemeffizienz verbessert gëtt. Effizienz. Dës Chips ginn entwéckelt op Basis vun der Technologieplattform vum Zhejiang Zhanxin Electronics SiC Wafer Fab.