Чип SiC MOSFET второго поколения компании Zhanxin Electronics обеспечивает снижение сопротивления в открытом состоянии на 25%.

По сравнению с продуктами предыдущего поколения, чип SiC MOSFET второго поколения, выпущенный Zhanxin Electronics, достиг удельного снижения сопротивления в открытом состоянии примерно на 25% за счет оптимизации процесса создания оксидного слоя затвора и конструкции канала, тем самым снижая потери в устройстве и повышая эффективность системы. . эффективность. Эти чипы разработаны на основе технологической платформы фабрики по производству пластин SiC Zhejiang Zhanxin Electronics. С сентября 2023 года было выпущено более десятка серийно выпускаемых продуктов с использованием технологической платформы того же поколения.