Układ SiC MOSFET drugiej generacji firmy Zhanxin Electronics osiąga 25% redukcję rezystancji w stanie włączenia

W porównaniu z poprzednią generacją produktów, chip SiC MOSFET drugiej generacji wprowadzony na rynek przez Zhanxin Electronics osiągnął specyficzną redukcję rezystancji w stanie włączenia o około 25% poprzez optymalizację procesu warstwy tlenkowej bramki i konstrukcji kanału, zmniejszając w ten sposób straty urządzenia i poprawiając wydajność systemu . efektywność. Chipy te opracowano w oparciu o platformę technologiczną fabryki płytek SiC Zhejiang Zhanxin Electronics. Od września 2023 r. wypuszczono na rynek kilkanaście masowo produkowanych produktów wykorzystujących platformę technologiczną tej samej generacji.