Druhá generace SiC MOSFET čipu Zhanxin Electronics dosahuje 25% snížení odporu

Ve srovnání s předchozí generací produktů dosáhl čip SiC MOSFET druhé generace uvedený na trh společností Zhanxin Electronics specifického snížení odporu asi o 25 % optimalizací procesu hradlové oxidové vrstvy a návrhu kanálu, čímž se snížily ztráty zařízení a zlepšila se účinnost systému. . Tyto čipy jsou vyvinuty na technologické platformě Zhejiang Zhanxin Electronics SiC wafer fab Od září 2023 bylo uvedeno na trh více než tucet sériově vyráběných produktů využívajících technologickou platformu stejné generace.