Zhanxin Electronics ၏ ဒုတိယမျိုးဆက် SiC MOSFET ချစ်ပ်သည် on-resistance ကို 25% လျှော့ချနိုင်သည်

ထုတ်ကုန်ယခင်မျိုးဆက်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက Zhanxin Electronics မှ ထုတ်လွှတ်သော ဒုတိယမျိုးဆက် SiC MOSFET ချစ်ပ်သည် ဂိတ်အောက်ဆိုဒ်အလွှာ လုပ်ငန်းစဉ်နှင့် ချန်နယ်ဒီဇိုင်းကို ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းဖြင့် စက်ပစ္စည်းဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချပေးပြီး စနစ်စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးခြင်းဖြင့် 25% ခန့်အပေါ် ခံနိုင်ရည်အား လျှော့ချနိုင်ခဲ့ပါသည်။ လုပ်ရည်ကိုင်ရည်။ ဤချစ်ပ်များကို Zhejiang Zhanxin Electronics SiC wafer fab ၏ နည်းပညာပလပ်ဖောင်းပေါ်တွင် အခြေခံ၍ တီထွင်ထားခြင်းဖြစ်ပြီး 2023 ခုနှစ် စက်တင်ဘာလမှစတင်ကာ မျိုးဆက်တူနည်းပညာပလပ်ဖောင်းကို အသုံးပြု၍ အမြောက်အများထုတ်လုပ်ထားသော ထုတ်ကုန်တစ်ဒါဇင်ကျော်ကို ဖြန့်ချိခဲ့သည်။