Zhanxin Electronics’ chip SiC MOSFET mokõiha generación ohupyty 25% reducción resistencia on-resistencia-pe

Oñembojojávo generación anterior producto, chip SiC MOSFET segunda generación omoñepyrüva Zhanxin Electronics ohupyty reducción específica en resistencia 25% rupi omohenda porãvo proceso capa óxido de compuerta ha diseño canal, upéicha omboguejýva pérdida dispositivo ha omohenda porã eficiencia sistema . hembiapoporãva. Ko'ã chip oñembosako'i oñemopyendáva plataforma tecnológica Zhejiang Zhanxin Electronics SiC wafer fab Setiembre 2023 guive, hetave docena de productos producidos en masa oiporúva plataforma tecnológica generación ojoajúva.