Zhanxin Electronics bringt drei 650-V-SiC-MOSFET-Produkte der zweiten Generation auf den Markt und besteht die Automobilstandard-Zertifizierung

Zhanxin Electronics hat kürzlich drei 650-V-SiC-MOSFET-Produkte der zweiten Generation auf den Markt gebracht, die die strenge Zuverlässigkeitszertifizierung auf Automobilebene (AEC-Q101-qualifiziert) erfolgreich bestanden haben. Diese SiC-MOSFET-Chips der zweiten Generation weisen die branchenweit niedrigsten Verlustwerte und Ansteuerspannungen von 15 V bis 18 V auf und sind gut kompatibel. Diese drei Produkte haben Einschaltwiderstände von 25 mΩ, 40 mΩ bzw. 60 mΩ und sind in TO247-4 verpackt. Sie können im Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C verwendet werden. Da das TO247-4-Gehäuse außerdem über Kelvin-Source-Pins verfügt, können Gate-Treiberspannungsspitzen deutlich reduziert werden.