Zhanxin Electronics lancéiert dräi zweeter Generatioun 650V SiC MOSFET Produkter, passéiert Automotive Grad Zertifizéierung

Zhanxin Electronics huet viru kuerzem dräi zweet Generatioun 650V SiC MOSFET Produkter lancéiert, déi de strenge Automotive-Niveau Zouverlässegkeet Zertifizéierung (AEC-Q101 Qualified) passéiert hunn. Dës zweet Generatioun SiC MOSFET Chips hunn déi niddregsten Verloschtniveauen vun der Industrie an Fuertspannungen vun 15V ~ 18V, an hunn eng gutt Kompatibilitéit. Dës dräi Produkter hunn On-Resistenz vu 25mΩ, 40mΩ an 60mΩ respektiv, a sinn an TO247-4 verpackt a kënnen am Betribstemperaturberäich vun -55°C bis 175°C benotzt ginn. Zousätzlech, well de TO247-4 Package e Kelvin Quellstift huet, kënne Gate Drive Spannungsspikes wesentlech reduzéiert ginn.