Zhanxin Electronics выпускает три продукта SiC MOSFET второго поколения на 650 В, прошедшие сертификацию автомобильного уровня

Компания Zhanxin Electronics недавно выпустила три продукта SiC MOSFET второго поколения на 650 В, которые успешно прошли строгую сертификацию надежности автомобильного уровня (AEC-Q101 Qualified). Эти микросхемы SiC MOSFET второго поколения имеют самые низкие в отрасли уровни потерь, напряжение возбуждения 15–18 В и хорошую совместимость. Эти три продукта имеют сопротивление включения 25 мОм, 40 мОм и 60 мОм соответственно и упакованы в TO247-4. Их можно использовать в диапазоне рабочих температур от -55°C до 175°C. Кроме того, поскольку корпус TO247-4 имеет выводы источника Кельвина, скачки напряжения управления затвором могут быть значительно уменьшены.