Zhanxin Electronics lansira tri izdelke druge generacije 650 V SiC MOSFET, ki so opravili certificiranje za avtomobilsko industrijo

Podjetje Zhanxin Electronics je pred kratkim lansiralo tri izdelke druge generacije 650 V SiC MOSFET, ki so uspešno prestali strogi certifikat zanesljivosti na avtomobilski ravni (AEC-Q101 Qualified). Ti čipi SiC MOSFET druge generacije imajo najnižje ravni izgube v industriji in pogonske napetosti 15 V~18 V ter imajo dobro združljivost. Ti trije izdelki imajo vklopni upor 25 mΩ, 40 mΩ oziroma 60 mΩ in so pakirani v TO247-4 ter se lahko uporabljajo v delovnem temperaturnem območju od -55 °C do 175 °C. Poleg tega, ker ima ohišje TO247-4 izvorne zatiče Kelvin, se lahko skoki napetosti pogona vrat znatno zmanjšajo.