A Zhanxin Electronics három második generációs 650 V-os SiC MOSFET terméket dob ​​piacra, amelyek megfeleltek az autóipari minősítésnek

A Zhanxin Electronics nemrégiben dobott piacra három második generációs 650V SiC MOSFET terméket, amelyek sikeresen teljesítették a szigorú autóipari szintű megbízhatósági tanúsítványt (AEC-Q101 Qualified). Ezek a második generációs SiC MOSFET chipek az iparág legalacsonyabb veszteségszintjével és 15 V ~ 18 V meghajtófeszültségével rendelkeznek, és jó a kompatibilitásuk. Ennek a három terméknek a bekapcsolási ellenállása 25 mΩ, 40 mΩ, illetve 60 mΩ, és TO247-4 csomagban vannak. -55°C és 175°C közötti üzemi hőmérsékleti tartományban használhatók. Ezen túlmenően, mivel a TO247-4 csomag Kelvin-forrástűkkel rendelkezik, a kapumeghajtó feszültségcsúcsai jelentősen csökkenthetők.