Zhanxin Electronics ra mắt ba sản phẩm MOSFET SiC 650V thế hệ thứ hai, đạt chứng nhận cấp ô tô

Zhanxin Electronics gần đây đã ra mắt ba sản phẩm MOSFET SiC 650V thế hệ thứ hai, đã vượt qua thành công chứng nhận độ tin cậy nghiêm ngặt ở cấp độ ô tô (Đạt tiêu chuẩn AEC-Q101). Các chip SiC MOSFET thế hệ thứ hai này có mức tổn hao thấp nhất trong ngành và điện áp truyền động là 15V~18V, đồng thời có khả năng tương thích tốt. Ba sản phẩm này có điện trở lần lượt là 25mΩ, 40mΩ và 60mΩ và được đóng gói trong TO247-4. Chúng có thể được sử dụng trong phạm vi nhiệt độ hoạt động từ -55°C đến 175°C. Ngoài ra, do gói TO247-4 có các chân nguồn Kelvin nên các xung điện áp truyền động cổng có thể giảm đáng kể.