Das neue SiC-Werk von Mitsubishi Electric in der Präfektur Kumamoto soll 2026 mit der Produktion beginnen

Mitsubishi Electric plant den Bau einer neuen Siliziumkarbid (SiC)-Leistungshalbleiterfabrik in der Stadt Kikuchi in der Präfektur Kumamoto mit einer geschätzten Investition von etwa 100 Milliarden Yen (ca. 4,856 Milliarden RMB). Die neue Fabrik soll im April 2026 ihren Betrieb aufnehmen. Bis dahin wird sich die Wafer-Produktionskapazität des Unternehmens im Vergleich zu 2022 etwa verfünffachen. Das neue Gebäude verfügt über sechs Etagen mit einer Gesamtgrundfläche von rund 42.000 Quadratmetern und wird zur Produktion von SiC-Wafern mit einem Durchmesser von 200 mm (8 Zoll) dienen. Alle Prozesse werden durch automatische Fördersysteme verbunden, um die Produktionseffizienz zu verbessern.