Si prevede che il nuovo impianto SiC di Mitsubishi Electric nella prefettura di Kumamoto inizierà la produzione nel 2026

Mitsubishi Electric prevede di costruire una nuova fabbrica di semiconduttori di potenza in carburo di silicio (SiC) nella città di Kikuchi, nella prefettura di Kumamoto, con un investimento stimato di circa 100 miliardi di yen (circa 4,856 miliardi di RMB). Si prevede che il nuovo stabilimento entrerà in funzione nell'aprile 2026, momento in cui la capacità di produzione di wafer dell'azienda aumenterà di circa cinque volte rispetto al 2022. Il nuovo edificio si sviluppa su sei piani per una superficie totale di circa 42.000 metri quadrati e sarà utilizzato per produrre wafer SiC del diametro di 200 mm (8 pollici). Tutti i processi saranno collegati tramite sistemi di trasporto automatico per migliorare l’efficienza produttiva.