Tongguangi pooljuhtide võimsuse laiendamise plaan

Tongguang Semiconductor plaanib saavutada 2024. aastal umbes 300 000 iC substraatide tootmisvõimsuse ja 2025. aastal 500 000–600 000 ühiku tootmisvõimsuse. Lisaks on ettevõttel plaanis investeerida ka 1,65 miljonit tonni kaaluva ränikarbiidi sünteetilise pulbri tootmisliini ehitusse.