Saida pooljuhtide ränikarbiidi epitaksi projekti keskkonnamõjude hindamine uudisteteade

Saida Semiconductor Technology Co., Ltd. plaanib investeerida ligikaudu 1,47 miljardit jüaani ränikarbiidi (SiC) epitaksiaalprojektide ehitusse ning uurimis- ja arendustegevusse. Projektiga antakse rendile Great Wall Motors Xushui Company algsed tehasehooned ja avatud ruumid, mille esialgne tootmisvõimsus on 15 000 tükki aastas ja 2027. aastal kavandatud tootmisvõimsus 300 000 tükki aastas.